SiTime的MEMS振蕩器對(duì)電磁干擾的抵抗能力究竟有多強(qiáng)
來源：http://m.cnhxbh.com 作者：金洛鑫電子 2025年11月25
SiTime的MEMS振蕩器對(duì)電磁干擾的抵抗能力究竟有多強(qiáng)
在現(xiàn)代科技飛速發(fā)展的時(shí)代,電子設(shè)備已廣泛滲透到我們生活的每一個(gè)角落,從日常使用的智能手機(jī),電腦,到工業(yè)領(lǐng)域的精密儀器,汽車電子系統(tǒng),它們的高效運(yùn)行對(duì)我們的生活和工作至關(guān)重要.然而,在這些電子設(shè)備背后,存在著一個(gè)無形的威脅——電磁干擾(ElectromagneticInterference,簡(jiǎn)稱EMI).電磁干擾就像是電子設(shè)備的隱形敵人,它無處不在,卻又難以察覺.只要有電子設(shè)備運(yùn)行,就有可能產(chǎn)生電磁干擾,同時(shí),這些設(shè)備也容易受到周圍其他電磁干擾源的影響.比如,當(dāng)你在使用手機(jī)通話時(shí),如果周圍有微波爐,電磁爐等大功率電器在工作,手機(jī)的信號(hào)可能會(huì)受到干擾,出現(xiàn)雜音,通話中斷等問題;在醫(yī)院里,電子設(shè)備如手機(jī),無線電等,可能會(huì)干擾醫(yī)療設(shè)備的正常工作,導(dǎo)致呼吸機(jī),心臟監(jiān)測(cè)儀器等出現(xiàn)數(shù)據(jù)偏差,危及患者的生命安全;飛機(jī)飛行過程中,乘客使用的電子設(shè)備可能干擾飛行導(dǎo)航和通信系統(tǒng),影響飛行安全.
從專業(yè)角度來看,電磁干擾是指在電磁環(huán)境中,電子設(shè)備受到來自其他電子設(shè)備或外部電磁波的干擾,從而影響其正常的功能和性能.這種干擾可能以多種形式出現(xiàn),主要通過傳導(dǎo)和輻射兩種途徑對(duì)電子設(shè)備晶振產(chǎn)生影響.傳導(dǎo)干擾是指干擾信號(hào)通過導(dǎo)線,電纜或電源線等傳輸路徑,直接進(jìn)入電子設(shè)備的電路中;而輻射干擾則是干擾源產(chǎn)生的電磁波通過空間輻射,被電子設(shè)備的天線,電路元件等接收,進(jìn)而影響設(shè)備的正常運(yùn)行.電磁干擾對(duì)電子設(shè)備性能的負(fù)面影響不容小覷.首先,它會(huì)導(dǎo)致信號(hào)質(zhì)量下降,使電子設(shè)備的信號(hào)中混入噪聲和干擾,造成通信中斷,數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤,圖像和音頻失真等問題.比如,在無線網(wǎng)絡(luò)中,電磁干擾可能導(dǎo)致信號(hào)強(qiáng)度下降,傳輸速率減慢或連接丟失,影響用戶的上網(wǎng)體驗(yàn);在視頻監(jiān)控系統(tǒng)中,電磁干擾可能使監(jiān)控畫面出現(xiàn)噪點(diǎn),顏色失真,畫面抖動(dòng)等現(xiàn)象,影響監(jiān)控效果.其次,強(qiáng)烈的電磁干擾還可能造成設(shè)備故障和損壞.高能量的電磁脈沖(EMP)能夠使電路元件過載,燒毀或損壞,導(dǎo)致設(shè)備無法正常工作,嚴(yán)重時(shí)甚至需要更換整個(gè)設(shè)備,這不僅會(huì)帶來經(jīng)濟(jì)損失,還可能影響相關(guān)業(yè)務(wù)的正常開展.此外,電磁干擾還可能引發(fā)電子設(shè)備的誤操作和系統(tǒng)錯(cuò)誤,干擾控制信號(hào),傳感器信號(hào)或輸入/輸出接口,導(dǎo)致設(shè)備產(chǎn)生錯(cuò)誤指令或錯(cuò)誤輸出,在一些對(duì)安全性要求極高的系統(tǒng)中,這種誤操作可能引發(fā)嚴(yán)重的安全事故.在工業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)線上,電磁干擾可能導(dǎo)致機(jī)器人的控制指令出現(xiàn)錯(cuò)誤,使機(jī)器人執(zhí)行錯(cuò)誤的動(dòng)作,從而損壞產(chǎn)品或設(shè)備,甚至危及操作人員的生命安全.隨著科技的不斷進(jìn)步,電子設(shè)備的集成度越來越高,工作頻率也越來越快,這使得它們對(duì)電磁干擾更加敏感.在這種背景下,如何提高電子設(shè)備對(duì)電磁干擾的抵抗能力,成為了電子工程師們面臨的一項(xiàng)重要挑戰(zhàn).而SiTime的MEMS振蕩器,正是在這樣的需求下應(yīng)運(yùn)而生,為解決電磁干擾問題提供了新的思路和解決方案.
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SiTimeMEMS振蕩器:實(shí)力初窺探
在探討SiTimeMEMS振蕩器對(duì)電磁干擾的抵抗能力之前,有必要先了解一下SiTime公司以及MEMS振蕩器技術(shù)的背景知識(shí).SiTime公司于2005年開始運(yùn)營(yíng),作為硅MEMS時(shí)序領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者,它在行業(yè)中占據(jù)著舉足輕重的地位.憑借超過20億臺(tái)設(shè)備的出貨量,SiTime正在深刻改變計(jì)時(shí)行業(yè)的格局,其產(chǎn)品的高品質(zhì)和極高的可靠性在超過20億臺(tái)的出貨量中得到了充分證明,故障率低于1DPPM,在半導(dǎo)體行業(yè)中名列前茅.MEMS振蕩器,即通過微機(jī)電系統(tǒng)制作出的一種可編程的硅振蕩器,屬于有源晶振,是對(duì)傳統(tǒng)石英振蕩器的一次重大升級(jí)和革新.傳統(tǒng)的石英振蕩器由壓電石英加上簡(jiǎn)單的起振芯片和金屬封裝組成,其生產(chǎn)工藝復(fù)雜,涉及石英切割鍍銀,購(gòu)買基座,起振芯片,以及將石英及芯片以特殊黏膠結(jié)合后置于基座上,然后充填氮?dú)?用金屬封裝進(jìn)行密封等多個(gè)環(huán)節(jié).不同頻率,不同工作電壓的振蕩器,是由石英的不同形狀,鍍銀厚度及所配的起振芯片所決定.這種生產(chǎn)方式使得石英產(chǎn)業(yè)成為一個(gè)人工密集型的半自動(dòng)化傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),其產(chǎn)品也受到傳統(tǒng)原材料和工藝的諸多限制.
復(fù)雜的生產(chǎn)程序?qū)е鹿┴浧谕祥L(zhǎng),一旦出現(xiàn)缺貨應(yīng)急困難的情況,往往難以迅速解決;不同振蕩器規(guī)格需要不同原料和工藝,這使得成品缺乏靈活性,無法滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)實(shí)時(shí)配置的需求;壓電石英對(duì)溫度敏感度高,容易造成石英振蕩器的溫飄問題,影響其在不同溫度環(huán)境下的頻率穩(wěn)定性;石英材質(zhì)易碎怕摔且容易老化,雖然可以通過生產(chǎn)工藝和質(zhì)量管理來緩解,但仍難以保證質(zhì)量和長(zhǎng)期可靠性的高度一致.
而MEMS振蕩器采用了全硅的產(chǎn)品結(jié)構(gòu),由一個(gè)全硅MEMS諧振器和一個(gè)可編程AnalogCMOS驅(qū)動(dòng)芯片堆棧組成,并以標(biāo)準(zhǔn)QFNIC封裝方式完成.這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)和技術(shù)架構(gòu),使得MEMS振蕩器在多個(gè)方面展現(xiàn)出了相較于傳統(tǒng)石英振蕩器的顯著優(yōu)勢(shì).在體積方面,MEMS振蕩器可以輕松實(shí)現(xiàn)小型化,例如SiTime的MEMS振蕩器已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)2520的封裝體積,并且未來還有進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)2016封裝的計(jì)劃.相比之下,石英晶振的振蕩頻率受石英晶體體積限制,切割微小體積的石英晶體不僅困難,而且制造良率低,制成后的抗沖擊能力也較差.在穩(wěn)定度方面,傳統(tǒng)晶振在使用20M-33MHrs后會(huì)出現(xiàn)性能穩(wěn)定性下降的問題,而MEMS振蕩器出現(xiàn)該問題的時(shí)間是500MHrs,穩(wěn)定度提高了十倍以上.同時(shí),SiTime可編程振蕩器公司擁有專利的穩(wěn)固封裝,使得MEMS振蕩器的仿真系數(shù)達(dá)到-50,000G,而傳統(tǒng)的石英晶振只能達(dá)到-2,000G,這使得MEMS振蕩器比易破碎的石英晶振要堅(jiān)固得多.在效能方面,MEMS振蕩器具備更低的功耗和更快的啟動(dòng)時(shí)間,功耗可低至3.5毫安,啟動(dòng)速度快至3毫秒,能夠更好地滿足現(xiàn)有便攜產(chǎn)品的低功耗要求.此外,MEMS振蕩器還可以實(shí)現(xiàn)10個(gè)PPM的精度,這是現(xiàn)有石英晶振難以達(dá)到的,更高的精度為設(shè)計(jì)師在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)提供了更多的冗余空間.在質(zhì)量一致性方面,MEMS振蕩器采用全硅工藝,完全按照半導(dǎo)體IC的制作工藝生產(chǎn),可以采用成熟,穩(wěn)定的半導(dǎo)體工藝,因此其質(zhì)量穩(wěn)定性更高.而不同頻率的石英晶振需要采用不同的切割生產(chǎn)線,這對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定性會(huì)產(chǎn)生一定的影響.在成本方面,MEMS采用全硅工藝,可以在世界上任何一家晶圓廠代工,大規(guī)模的生產(chǎn)不會(huì)對(duì)產(chǎn)品成本造成顯著影響.而對(duì)于石英晶振來說,如果廠家要滿足超出目前產(chǎn)能的產(chǎn)品數(shù)量需求,就需要添置設(shè)備,建設(shè)更多的生產(chǎn)線,這不僅會(huì)增加人力成本和設(shè)備成本,直接影響產(chǎn)品成本,而且新設(shè)備和新工人的使用還可能對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性帶來不利影響.
除了上述優(yōu)勢(shì),MEMS振蕩器由于采用了可編程技術(shù),還帶來了一系列獨(dú)特的好處.交貨周期大幅縮短,它可以針對(duì)客戶的不同頻率需求,在很短的時(shí)間內(nèi)提供不同頻率的產(chǎn)品,平均供貨期僅為兩周,而石英晶振通常的供貨周期為十八周.在當(dāng)今制造商對(duì)上市時(shí)間越來越敏感,產(chǎn)品生命周期越來越短的市場(chǎng)環(huán)境下,這一優(yōu)勢(shì)顯得尤為重要.采用MEMS振蕩器可以減少供貨商的數(shù)量和驗(yàn)證時(shí)間.由于頻率可編程,制造商只需要選用一個(gè)廠家的有限數(shù)量的振蕩器,就能夠滿足對(duì)不同頻率振蕩器的需求,減少了與多個(gè)供貨商打交道的繁瑣過程,同時(shí)也減少了產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)間,這對(duì)于制造商降低成本,簡(jiǎn)化制造流程,加快產(chǎn)品上市時(shí)間都具有積極的意義.MEMS振蕩器還為制造商解決EMI問題提供了新的途徑.在實(shí)際的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,設(shè)計(jì)師即便在設(shè)計(jì)初期對(duì)EMI/EMC問題進(jìn)行了充分的考量,也往往會(huì)在最終設(shè)計(jì)完成時(shí)遇到由于通不過EMI測(cè)試而無法量產(chǎn)的問題.傳統(tǒng)的解決方法包括重新優(yōu)化布板,這是一種花費(fèi)時(shí)間最長(zhǎng),成本最高的做法;給相應(yīng)的位置增加屏蔽罩和濾波器,這種方法會(huì)增加成本和制造難度.而現(xiàn)在,有了MEMS擴(kuò)頻振蕩器,制造商可以采用擴(kuò)頻振蕩器擴(kuò)展時(shí)鐘頻譜的方式來解決由時(shí)鐘帶來的EMI問題,通過采用不同的擴(kuò)展方式和擴(kuò)展幅度,可以取得不同的效果,在最好的情況下甚至可以降低EMI12個(gè)dB.在實(shí)際應(yīng)用中,已經(jīng)有設(shè)計(jì)師通過使用MEMS擴(kuò)頻時(shí)鐘代替原有石英晶振,使原來通不過EMI測(cè)試的產(chǎn)品順利通過測(cè)試.
綜上所述,SiTime的MEMS振蕩器憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和設(shè)計(jì),在多個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上超越了傳統(tǒng)石英振蕩器,為電子設(shè)備提供了更可靠,更高效,更靈活的時(shí)鐘解決方案.這些優(yōu)勢(shì)也為其在抵抗電磁干擾方面奠定了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ),使其有能力應(yīng)對(duì)復(fù)雜電磁環(huán)境下的各種挑戰(zhàn),接下來我們將深入探討SiTimeMEMS振蕩器在抗電磁干擾方面的具體表現(xiàn)和能力.
抗擾實(shí)力大揭秘:測(cè)試見真章
為了深入了解SiTimeMEMS振蕩器對(duì)電磁干擾的抵抗能力,我們需要借助專業(yè)的測(cè)試手段和標(biāo)準(zhǔn),通過具體的測(cè)試數(shù)據(jù)來直觀地評(píng)估其性能.下面將從測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與環(huán)境,關(guān)鍵指標(biāo)解讀以及測(cè)試結(jié)果呈現(xiàn)這幾個(gè)方面,全面揭示SiTimeMEMS振蕩器在抗電磁干擾方面的卓越表現(xiàn).
(一)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與環(huán)境
在電磁干擾測(cè)試領(lǐng)域,國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)制定的一系列標(biāo)準(zhǔn)被廣泛認(rèn)可和應(yīng)用,其中IEC61000-4.3是評(píng)估電氣電子設(shè)備在射頻電磁場(chǎng)環(huán)境中抗干擾能力的核心標(biāo)準(zhǔn).該標(biāo)準(zhǔn)的全稱為《電磁兼容電磁兼容第4-3部分:試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻射頻電磁場(chǎng)射頻射頻射頻電磁場(chǎng)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)》.它的適用范圍幾乎涵蓋了所有電氣電子設(shè)備,包括信息技術(shù)設(shè)備,工業(yè)控制設(shè)備,醫(yī)療設(shè)備,家用電器,汽車電子,工業(yè)無線通信設(shè)備等.其試驗(yàn)?zāi)康氖悄M設(shè)備在實(shí)際使用環(huán)境中可能遭遇的射頻電磁輻射干擾,如廣播電臺(tái),電視臺(tái),移動(dòng)基站,雷達(dá),WiFi,藍(lán)牙等產(chǎn)生的電磁場(chǎng),驗(yàn)證設(shè)備是否能保持正常功能,不出現(xiàn)性能下降,誤動(dòng)作或永久性損壞.在依據(jù)IEC61000-4.3標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試時(shí),有多個(gè)核心試驗(yàn)參數(shù)需要嚴(yán)格把控.頻率范圍基礎(chǔ)頻段設(shè)定在80MHz-6GHz,這一范圍覆蓋了當(dāng)前主流無線通信頻段,如FM廣播,4G/5G,WiFi,藍(lán)牙等.根據(jù)設(shè)備特性,還可將頻段擴(kuò)展至150kHz-80MHz(針對(duì)短距離通信設(shè)備)或6GHz-18GHz(針對(duì)毫米波設(shè)備,如5GFR2頻段).試驗(yàn)場(chǎng)強(qiáng)根據(jù)設(shè)備應(yīng)用場(chǎng)景劃分出不同等級(jí),普通民用設(shè)備如家用電器,辦公設(shè)備一般為3V/m;工業(yè)控制設(shè)備,醫(yī)療設(shè)備,車載電子等為10V/m;靠近強(qiáng)輻射源的設(shè)備,如廣播發(fā)射臺(tái)附近的設(shè)備為30V/m;在特殊工業(yè)或軍事場(chǎng)景中,甚至?xí)捎酶邎?chǎng)強(qiáng),如100V/m,場(chǎng)強(qiáng)允許誤差為±3dB.調(diào)制方式默認(rèn)采用1kHz正弦波調(diào)幅(AM),調(diào)制深度80%,以此模擬實(shí)際通信信號(hào)的調(diào)制特性,針對(duì)數(shù)字通信設(shè)備,還可附加脈沖調(diào)制或特定數(shù)字調(diào)制方式,如CDMA,LTE調(diào)制.發(fā)射天線與被測(cè)設(shè)備(EUT)的距離通常采用3米法或10米法,3米法適用于小型設(shè)備,測(cè)試場(chǎng)地需求較小;10米法適用于大型設(shè)備或?qū)y(cè)試精度要求更高的場(chǎng)景.
為了確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性,測(cè)試環(huán)境也有著嚴(yán)格的要求.首選的測(cè)試場(chǎng)地是半電波暗室,其墻壁和天花板鋪設(shè)吸波材料,地面為導(dǎo)電平面,這樣的設(shè)計(jì)可減少電磁波反射,保證電磁場(chǎng)均勻性.在沒有半電波暗室的情況下,開闊測(cè)試場(chǎng)(OATS)也可作為替代場(chǎng)地,但要求地面為導(dǎo)電平面且周圍無反射障礙物,如建筑物,金屬結(jié)構(gòu).場(chǎng)地需通過“電壓駐波比(VSWR)”驗(yàn)證,在80MHz-1GHz頻段VSWR≤6dB,1GHz-6GHz頻段VSWR≤8dB,以確保場(chǎng)強(qiáng)均勻性.核心測(cè)試設(shè)備包括信號(hào)發(fā)生器,用于產(chǎn)生指定頻率和調(diào)制方式的射頻信號(hào);功率放大器,將信號(hào)放大至所需場(chǎng)強(qiáng);發(fā)射天線,根據(jù)頻率選擇合適的類型,如80MHz-1GHz用雙錐天線,1GHz-6GHz用對(duì)數(shù)周期天線或喇叭天線;場(chǎng)強(qiáng)探頭,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)測(cè)試區(qū)域場(chǎng)強(qiáng),確保符合設(shè)定值;轉(zhuǎn)臺(tái),承載EUT并可360°旋轉(zhuǎn),確保設(shè)備各方向均能接收干擾.
在實(shí)際測(cè)試中,以評(píng)估SiTimeMEMS振蕩器的抗電磁干擾能力為例,會(huì)按照上述標(biāo)準(zhǔn)和環(huán)境要求搭建測(cè)試系統(tǒng).將SiTimeMEMS振蕩器作為被測(cè)設(shè)備,放置在測(cè)試場(chǎng)地中,連接好相關(guān)的電源,信號(hào)線和負(fù)載,使其處于正常工作狀態(tài).通過信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生特定頻率和調(diào)制方式的射頻信號(hào),經(jīng)功率放大器放大后,由發(fā)射天線向SiTimeMEMS振蕩器輻射電磁干擾信號(hào).在測(cè)試過程中,利用場(chǎng)強(qiáng)探頭實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)測(cè)試區(qū)域的場(chǎng)強(qiáng),確保其滿足設(shè)定的試驗(yàn)場(chǎng)強(qiáng)要求.同時(shí),通過轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)SiTimeMEMS振蕩器,使其各個(gè)方向都能受到電磁干擾,以全面評(píng)估其抗干擾能力.整個(gè)測(cè)試過程嚴(yán)格遵循IEC61000-4.3標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,確保測(cè)試結(jié)果的科學(xué)性和可比性.
(二)關(guān)鍵指標(biāo)解讀
在評(píng)估振蕩器受電磁干擾影響程度時(shí),有幾個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)起著至關(guān)重要的作用,它們分別是相位噪聲,相位抖動(dòng)和電源噪聲靈敏度(PSNS).深入理解這些指標(biāo)的含義,有助于我們準(zhǔn)確把握SiTimeMEMS振蕩器在電磁干擾環(huán)境下的性能表現(xiàn).
相位噪聲是指在信號(hào)的相位上存在的不確定性或波動(dòng)性.從本質(zhì)上講,它是由于信號(hào)源內(nèi)部的物理過程,如熱運(yùn)動(dòng)和機(jī)械振動(dòng),以及外部環(huán)境的影響,如溫度和壓力的變化所引起的.在數(shù)字信號(hào)處理中,相位噪聲會(huì)對(duì)信號(hào)的形狀,幅度以及頻率產(chǎn)生影響,進(jìn)而影響到信號(hào)的傳輸質(zhì)量和系統(tǒng)的性能.對(duì)于振蕩器而言,相位噪聲會(huì)導(dǎo)致輸出信號(hào)的頻率不穩(wěn)定,在頻譜上表現(xiàn)為信號(hào)主頻率兩側(cè)出現(xiàn)噪聲邊帶.以通信系統(tǒng)為例,相位噪聲會(huì)使信號(hào)的相位發(fā)生隨機(jī)變化,從而增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼`碼率,降低通信系統(tǒng)的性能.在雷達(dá)系統(tǒng)中,相位噪聲會(huì)影響雷達(dá)的測(cè)距和測(cè)速精度,導(dǎo)致目標(biāo)檢測(cè)和跟蹤出現(xiàn)偏差.
相位抖動(dòng)是指數(shù)字信號(hào)在時(shí)間上的不確定性,也稱為時(shí)間抖動(dòng)或時(shí)間偏移.它通常是由于數(shù)字信號(hào)在上升或下降過程中受到干擾或不穩(wěn)定性所引起的.相位抖動(dòng)的主要來源包括信號(hào)源的相位噪聲,傳輸線的干擾以及接收器的失配等.在高速數(shù)字系統(tǒng)中,相位抖動(dòng)會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼`碼率增加,因?yàn)樗鼤?huì)使信號(hào)的時(shí)序發(fā)生變化,從而使接收器難以準(zhǔn)確地采樣和恢復(fù)數(shù)據(jù).例如,在高速串行數(shù)據(jù)傳輸中,如USB3.0,HDMI等接口,低相位抖動(dòng)晶振可能會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤,影響設(shè)備之間的通信質(zhì)量.此外,相位抖動(dòng)還會(huì)對(duì)時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生影響,導(dǎo)致系統(tǒng)的時(shí)鐘周期發(fā)生變化,進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的性能.電源噪聲靈敏度(PSNS)是衡量振蕩器對(duì)電源噪聲敏感程度的指標(biāo).電源噪聲是指電源線上存在的各種噪聲信號(hào),如紋波電壓,尖峰脈沖等.當(dāng)電源噪聲耦合到振蕩器中時(shí),會(huì)對(duì)振蕩器的輸出頻率和相位產(chǎn)生影響,從而降低振蕩器的性能.PSNS通常用dB表示,數(shù)值越小,表示振蕩器對(duì)電源噪聲的抗干擾能力越強(qiáng).在實(shí)際應(yīng)用中,如果電源噪聲較大,而振蕩器的PSNS較高,那么電源噪聲可能會(huì)導(dǎo)致振蕩器的輸出頻率發(fā)生漂移,相位噪聲和相位抖動(dòng)增加,影響整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性.例如,在一些對(duì)電源穩(wěn)定性要求較高的精密儀器中,如示波器,頻譜分析儀等,電源噪聲對(duì)振蕩器的影響可能會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)誤差,降低儀器的測(cè)量精度.綜上所述,相位噪聲,相位抖動(dòng)和電源噪聲靈敏度(PSNS)是評(píng)估振蕩器在電磁干擾環(huán)境下性能的重要指標(biāo).這些指標(biāo)的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的信號(hào)傳輸質(zhì)量,系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性.在接下來對(duì)SiTimeMEMS振蕩器的測(cè)試結(jié)果分析中,我們將重點(diǎn)關(guān)注這些指標(biāo),以揭示其在抗電磁干擾方面的優(yōu)勢(shì).
(三)測(cè)試結(jié)果震撼呈現(xiàn)
在完成了嚴(yán)格的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定和關(guān)鍵指標(biāo)解讀后,我們終于迎來了對(duì)SiTimeMEMS振蕩器抗電磁干擾能力的實(shí)際測(cè)試結(jié)果.這些結(jié)果通過直觀的圖表對(duì)比,清晰地展示了SiTimeMEMS振蕩器與其他振蕩器在相同電磁干擾環(huán)境下的性能差異,其卓越的抗干擾能力令人震撼.
首先,在相位噪聲方面,測(cè)試結(jié)果表明,SiTimeMEMS振蕩器展現(xiàn)出了極低的噪聲水平.當(dāng)受到80MHz-1GHz頻段的電磁干擾時(shí),SiTime差分MEMS振蕩器的相位噪聲雜散功率明顯低于其他競(jìng)品,在特定頻率偏移處,SiTime差分MEMS振蕩器的相位噪聲比基于石英的振蕩器低出35dB之多.這意味著SiTimeMEMS振蕩器在受到電磁干擾時(shí),其輸出信號(hào)的頻率穩(wěn)定性更高,噪聲邊帶更窄,能夠?yàn)殡娮釉O(shè)備提供更加純凈和穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),有效減少了因相位噪聲導(dǎo)致的數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤和系統(tǒng)性能下降的問題.例如,在高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)中,低相位噪聲的時(shí)鐘信號(hào)可以確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸,提高傳輸速率和可靠性,避免因噪聲干擾而出現(xiàn)的誤碼和丟包現(xiàn)象.
在相位抖動(dòng)指標(biāo)上,SiTimeMEMS振蕩器同樣表現(xiàn)出色.面對(duì)復(fù)雜的電磁干擾環(huán)境,SiTimeMEMS振蕩器的相位抖動(dòng)幅度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于其他振蕩器.根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)繪制的圖表顯示,在受到相同強(qiáng)度的電磁干擾時(shí),SiTime單端振蕩器的相位抖動(dòng)比基于石英的同類產(chǎn)品降低了數(shù)倍.在一些對(duì)時(shí)序要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景中,如通信基站,服務(wù)器等,低相位抖動(dòng)的振蕩器能夠保證系統(tǒng)的精確同步和穩(wěn)定運(yùn)行,避免因相位抖動(dòng)導(dǎo)致的信號(hào)延遲和時(shí)序錯(cuò)誤,從而提高整個(gè)系統(tǒng)的性能和可靠性.例如,在5G通信基站中,精確的時(shí)鐘同步對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)傳輸和信號(hào)處理至關(guān)重要,SiTimeMEMS振蕩器的低相位抖動(dòng)特性能夠滿足這一嚴(yán)苛要求,確?；九c移動(dòng)終端之間的通信質(zhì)量和穩(wěn)定性.
在電源噪聲靈敏度(PSNS)方面,SiTimeMEMS振蕩器也展現(xiàn)出了強(qiáng)大的抗干擾能力.測(cè)試數(shù)據(jù)表明,SiTimeMEMS振蕩器對(duì)電源噪聲的敏感度極低,能夠在存在較大電源噪聲的環(huán)境中保持穩(wěn)定的工作狀態(tài).對(duì)比可以發(fā)現(xiàn),與其他振蕩器相比,SiTimeMEMS振蕩器在面對(duì)電源噪聲時(shí),其輸出頻率和相位的變化極小.這一特性使得SiTimeMEMS振蕩器在各種電源條件下都能可靠工作,為電子設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn).在一些工業(yè)控制設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)中,電源環(huán)境往往較為復(fù)雜,存在各種噪聲和波動(dòng),SiTimeMEMS振蕩器的低PSNS特性能夠有效抵御電源噪聲的干擾,保證設(shè)備的正常運(yùn)行,提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性.例如,在汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中,由于發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生大量的電磁干擾和電源噪聲,SiTimeMEMS振蕩器能夠在這樣惡劣的環(huán)境下為控制單元提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),確保發(fā)動(dòng)機(jī)的精確控制和高效運(yùn)行.
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綜合以上測(cè)試結(jié)果,SiTimeMEMS振蕩器在相位噪聲,相位抖動(dòng)和電源噪聲靈敏度等關(guān)鍵指標(biāo)上,均顯著優(yōu)于其他振蕩器.尤其是差分MEMS振蕩器,其抗擾度比競(jìng)品高出35dB,相當(dāng)于對(duì)輻射場(chǎng)的抗擾度提高了54倍,單端振蕩器的性能也優(yōu)于基于石英的同類產(chǎn)品,最高可達(dá)12dB,即對(duì)輻射場(chǎng)的抗擾度提高了4倍.這些數(shù)據(jù)充分證明了SiTimeMEMS振蕩器在抵抗電磁干擾方面的卓越性能,為其在各種對(duì)電磁兼容性要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景中提供了有力的技術(shù)支持和保障.
應(yīng)用領(lǐng)域大放異彩
SiTimeMEMS振蕩器強(qiáng)大的抗電磁干擾能力,使其在眾多對(duì)電磁兼容性要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,為各種復(fù)雜環(huán)境下的設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行提供了可靠保障.以下將通過具體案例,深入了解SiTimeMEMS振蕩器在汽車電子,通信設(shè)備,工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的出色表現(xiàn).
(一)汽車電子:ADAS系統(tǒng)的可靠“心臟”
在汽車電子領(lǐng)域,隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的不斷發(fā)展,高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)成為了汽車安全和智能化的核心組成部分.ADAS系統(tǒng)通過攝像頭,雷達(dá),激光雷達(dá)等多種傳感器實(shí)時(shí)采集車輛周圍的環(huán)境信息,并進(jìn)行高速數(shù)據(jù)處理和分析,為駕駛員提供輔助決策,如自動(dòng)緊急制動(dòng),自適應(yīng)巡航控制,車道偏離預(yù)警等功能.然而,汽車內(nèi)部是一個(gè)復(fù)雜的電磁環(huán)境,發(fā)動(dòng)機(jī),電機(jī),電子控制系統(tǒng)等都會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾,這些干擾可能會(huì)影響ADAS系統(tǒng)中傳感器和處理器的正常工作,導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤,決策失誤,從而危及行車安全.?SiTimeMEMS振蕩器憑借其卓越的抗電磁干擾能力,成為了ADAS系統(tǒng)的理想時(shí)鐘解決方案.以某知名汽車品牌的ADAS系統(tǒng)為例,該系統(tǒng)在研發(fā)過程中,使用傳統(tǒng)石英振蕩器時(shí),在模擬汽車復(fù)雜電磁環(huán)境的測(cè)試中,出現(xiàn)了嚴(yán)重的信號(hào)干擾問題,導(dǎo)致攝像頭圖像出現(xiàn)噪點(diǎn),雷達(dá)測(cè)距數(shù)據(jù)偏差,傳感器信號(hào)不穩(wěn)定等現(xiàn)象,嚴(yán)重影響了ADAS系統(tǒng)的性能和可靠性.在采用SiTimeMEMS振蕩器替換傳統(tǒng)石英振蕩器后,經(jīng)過嚴(yán)格的電磁兼容性測(cè)試,ADAS系統(tǒng)在各種復(fù)雜電磁環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行.SiTimeMEMS振蕩器的低相位噪聲和低相位抖動(dòng)特性,確保了傳感器采集的數(shù)據(jù)能夠準(zhǔn)確,及時(shí)地傳輸?shù)教幚砥鬟M(jìn)行分析和處理.即使在發(fā)動(dòng)機(jī)高負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn),車內(nèi)電子設(shè)備同時(shí)開啟的情況下,ADAS系統(tǒng)的傳感器依然能夠穩(wěn)定工作,為駕駛員提供準(zhǔn)確的環(huán)境信息,有效提升了行車安全.例如,在自適應(yīng)巡航控制功能中,SiTimeMEMS振蕩器保證了雷達(dá)傳感器對(duì)前方車輛距離和速度的精確測(cè)量,使車輛能夠根據(jù)前方路況自動(dòng)調(diào)整車速,保持安全車距,避免了因信號(hào)干擾導(dǎo)致的跟車過近或過遠(yuǎn)的情況.在車道偏離預(yù)警功能中,攝像頭傳感器在SiTimeMEMS振蕩器的支持下,能夠穩(wěn)定地識(shí)別車道線,及時(shí)向駕駛員發(fā)出預(yù)警,防止車輛偏離車道.
(二)通信設(shè)備:5G基站的穩(wěn)定“基石”
5G通信技術(shù)的飛速發(fā)展,為我們帶來了更高速,更穩(wěn)定的網(wǎng)絡(luò)連接.5G基站作為5G網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施,需要具備極高的性能和可靠性,以滿足海量數(shù)據(jù)傳輸和低延遲通信的需求.然而,5G基站通常部署在戶外,周圍存在各種電磁干擾源,如其他通信基站,高壓線,工業(yè)設(shè)備等.這些電磁干擾可能會(huì)影響5G基站中射頻模塊,基帶處理單元等關(guān)鍵部件的正常工作,導(dǎo)致信號(hào)傳輸質(zhì)量下降,通信中斷等問題.?SiTimeMEMS振蕩器在5G基站中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,為基站的穩(wěn)定運(yùn)行提供了精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào).某運(yùn)營(yíng)商在建設(shè)5G基站時(shí),選用了配備SiTimeMEMS振蕩器的通信設(shè)備.在實(shí)際運(yùn)行過程中,該5G基站所在區(qū)域存在多個(gè)其他通信基站和工業(yè)干擾源,電磁環(huán)境十分復(fù)雜.但由于采用了SiTimeMEMS振蕩器,5G基站在這樣惡劣的電磁環(huán)境下依然能夠保持穩(wěn)定的通信性能.SiTimeMEMS振蕩器的高抗干擾能力有效抑制了外部電磁干擾對(duì)基站時(shí)鐘信號(hào)的影響,確保了射頻模塊的頻率穩(wěn)定性和相位準(zhǔn)確性.這使得5G基站能夠準(zhǔn)確地發(fā)射和接收射頻信號(hào),實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)傳輸.同時(shí),在基帶處理單元中,SiTimeMEMS振蕩器提供的穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào)保證了數(shù)據(jù)處理的準(zhǔn)確性和及時(shí)性,有效降低了通信延遲.通過實(shí)際測(cè)試,該5G基站在復(fù)雜電磁環(huán)境下的信號(hào)強(qiáng)度,傳輸速率和通信穩(wěn)定性等指標(biāo)均達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平,為用戶提供了優(yōu)質(zhì)的5G通信服務(wù).例如,在用戶進(jìn)行高清視頻直播和在線游戲時(shí),5G基站能夠穩(wěn)定地傳輸數(shù)據(jù),保證視頻畫面流暢,無卡頓,游戲操作響應(yīng)迅速,為用戶帶來了極致的通信體驗(yàn).
(三)工業(yè)自動(dòng)化:生產(chǎn)線的精準(zhǔn)“節(jié)拍器”
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,工廠中的各種自動(dòng)化設(shè)備,如機(jī)器人,自動(dòng)化生產(chǎn)線,工業(yè)控制系統(tǒng)等,需要精確的時(shí)鐘信號(hào)來保證各個(gè)設(shè)備之間的協(xié)同工作和高效運(yùn)行.然而,工業(yè)環(huán)境中存在大量的電磁干擾源,如電機(jī),變頻器,電焊機(jī)等,這些設(shè)備在運(yùn)行過程中會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾,可能會(huì)導(dǎo)致自動(dòng)化設(shè)備的控制信號(hào)出現(xiàn)錯(cuò)誤,數(shù)據(jù)傳輸丟失等問題,影響生產(chǎn)線的正常運(yùn)行,甚至造成生產(chǎn)事故.?SiTimeMEMS振蕩器在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域展現(xiàn)出了強(qiáng)大的適應(yīng)性和可靠性.某大型汽車制造工廠的自動(dòng)化生產(chǎn)線中,大量采用了SiTimeMEMS振蕩器.在生產(chǎn)線運(yùn)行過程中,各種大型電機(jī)和焊接設(shè)備會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾.但由于使用了SiTimeMEMS振蕩器,自動(dòng)化生產(chǎn)線中的機(jī)器人能夠準(zhǔn)確地執(zhí)行各種動(dòng)作指令,如零件抓取,焊接,裝配等.SiTimeMEMS振蕩器的低電源噪聲靈敏度特性,有效抵御了電源噪聲對(duì)機(jī)器人控制系統(tǒng)的干擾,確保了機(jī)器人的動(dòng)作精度和穩(wěn)定性.在自動(dòng)化生產(chǎn)線的物料傳輸系統(tǒng)中,SiTimeMEMS振蕩器保證了傳感器和控制器之間的準(zhǔn)確通信,使物料能夠按照預(yù)定的節(jié)拍準(zhǔn)確地傳輸?shù)礁鱾€(gè)工位,提高了生產(chǎn)效率.例如,在汽車車身焊接環(huán)節(jié),SiTimeMEMS振蕩器確保了焊接機(jī)器人的動(dòng)作與焊接工藝的精確匹配,保證了焊接質(zhì)量的穩(wěn)定性和一致性.在物料分揀環(huán)節(jié),傳感器在SiTimeMEMS振蕩器的支持下,能夠準(zhǔn)確地識(shí)別物料的位置和種類,控制分揀機(jī)器人將物料準(zhǔn)確地分揀到相應(yīng)的位置,避免了因信號(hào)干擾導(dǎo)致的物料分揀錯(cuò)誤.
通過以上案例可以看出,SiTimeMEMS振蕩器在汽車電子,通信設(shè)備,工業(yè)自動(dòng)化等對(duì)電磁兼容性要求高的領(lǐng)域中,憑借其出色的抗電磁干擾能力,為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供了有力保障,成為了這些領(lǐng)域中不可或缺的關(guān)鍵部件.隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用場(chǎng)景的日益豐富,相信SiTimeMEMS振蕩器將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,推動(dòng)電子設(shè)備的性能和可靠性不斷提升.
SiTime的MEMS振蕩器對(duì)電磁干擾的抵抗能力究竟有多強(qiáng)
| NI-10M-3510 | Taitien | NI-10M-3500 | OCXO | 10 MHz | CMOS | 5V | ±0.2ppb |
| NI-10M-3560 | Taitien | NI-10M-3500 | OCXO | 10 MHz | CMOS | 5V | ±0.1ppb |
| OXETECJANF-40.000000 | Taitien | OX | XO | 40 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±30ppm |
| OXETGCJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO | 25 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-24.576000 | Taitien | OX | XO | 24.576 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETHEJANF-12.000000 | Taitien | OX | XO | 12 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±100ppm |
| OXETGCJANF-36.000000 | Taitien | OX | XO | 36 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-40.000000 | Taitien | OX | XO | 40 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-16.000000 | Taitien | OX | XO | 16 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-24.576000 | Taitien | OX | XO | 24.576 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-27.000000 | Taitien | OX | XO | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-16.000000 | Taitien | OX | XO | 16 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXKTGLJANF-19.200000 | Taitien | OX | XO | 19.2 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OXKTGLJANF-26.000000 | Taitien | OX | XO | 26 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-50.000000 | Taitien | OX | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-54.000000 | Taitien | OX | XO | 54 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-27.000000 | Taitien | OX | XO | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXKTGLKANF-26.000000 | Taitien | OX | XO | 26 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCETDCJTNF-66.000000MHZ | Taitien | OC | XO | 66 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
| OXETECJANF-27.000000 | Taitien | OX | XO | 27 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±30ppm |
| OXETGJJANF-7.680000 | Taitien | OX | XO | 7.68 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OYETCCJANF-12.288000 | Taitien | OY | XO | 12.288 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
| OXETGLJANF-38.880000 | Taitien | OX | XO | 38.88 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETDCKANF-12.800000 | Taitien | OC | XO | 12.8 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETECJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±30ppm |
| OCETCCJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±20ppm |
| OCETCCJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±20ppm |
| OCETDCKTNF-50.000000 | Taitien | OC | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETDLJANF-2.048000 | Taitien | OC | XO | 2.048 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETELJANF-8.000000 | Taitien | OC | XO | 8 MHz | CMOS | 3.3V | ±30ppm |
| OCETGCJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGCJANF-24.576000 | Taitien | OC | XO | 24.576 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGCJANF-4.000000 | Taitien | OC | XO | 4 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGCJTNF-100.000000 | Taitien | OC | XO | 100 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJTNF-50.000000 | Taitien | OC | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLKANF-20.000000 | Taitien | OC | XO | 20 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLKANF-25.000000 | Taitien | OC | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETHCJTNF-100.000000 | Taitien | OC | XO | 100 MHz | CMOS | 1.8V | ±100ppm |
| OCKTGLJANF-20.000000 | Taitien | OC | XO | 20 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCKTGLJANF-30.000000 | Taitien | OC | XO | 30 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCKTGLJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO | 12 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCKTGLJANF-31.250000 | Taitien | OC | XO | 31.25 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCETDCJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETDCJTNF-50.000000 | Taitien | OC | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETGCJANF-33.333000 | Taitien | OC | XO | 33.333 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJTNF-66.667000 | Taitien | OC | XO | 66.667 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJANF-27.000000 | Taitien | OC | XO | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJANF-33.333000 | Taitien | OC | XO | 33.333 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJTNF-66.000000 | Taitien | OC | XO | 66 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJTNF-80.000000 | Taitien | OC | XO | 80 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCJTDCJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO | 25 MHz | CMOS | 2.5V | ±25ppm |
| OCKTGLJANF-24.000000 | Taitien | OC | XO | 24 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-12.000000 | Taitien | OX | XO | 12 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETDLJANF-8.704000 | Taitien | OX | XO | 8.704 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
| OXKTGCJANF-37.125000 | Taitien | OX | XO | 37.125 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OXETCLJANF-26.000000 | Taitien | OX | XO | 26 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
| OXETDLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO | 25 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
| OXETGLJANF-48.000000 | Taitien | OX | XO | 48 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXJTDLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO | 25 MHz | CMOS | 2.5V | ±25ppm |
| OXJTGLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO | 25 MHz | CMOS | 2.5V | ±50ppm |
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